学霸的军工科研系统 第1444(2/3)

    沉默，持续了足有一分钟。

    而张汝宁语气却变得慎重起来：

    终于，栾文杰长长地、极其缓慢地吁出一口气，动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。

    “跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5n’、‘3n’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”

    一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。

    似乎还带着些许不舍。

    “至于20n以下级别的特征尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着芯片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，晶体管将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。”

    “30n，已经超过了tsc当前7n工艺所能达到的实际精度。”

    随后，他做了一个总结性的判断：

本章尚未完结,请点击下一页继续阅读---->>>

    说起这个，他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的b2碎片。

    他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的“f”上，加重语气：

    尽管根本不可能分辨出30n的细微线条，但他依旧看得无比专注——

    这手掌上的方寸之间，蕴含着足以撼动全球半导体、乃至全球科技格局的力量。

    但很快，他又话锋一转。

    张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：

    这个问题，张汝宁已经等待了很久。

    “所谓‘5n’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25n左右，至于‘3n’，则可能对应到15-18n区间。”

    “我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基os工艺的物理框架下，制程的极限大概在5n或者3n附近，如果按照刚才计算的10722n等效波长来推算……”

    他解释道：

    “一般认为这个临界尺寸会在10n左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用euv光刻机，要想稳定量产特征尺寸在20n以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。”

    栾文杰双手捧着那片小小的晶圆，如同捧着一块稀世珍宝。

    “对于25n的特征尺寸，arf-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30n级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。”

    “算了。”栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，“这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……”

    “我个人认为，随着边界效应的递增，未来芯片性能提升的主要驱动力，将从过去单纯依赖制程微缩，转向更依赖于芯片架构创新、先进封装技术、还有底层驱动软件和算法的深度优化……”

    尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。

    “这块晶圆，我们会做专门保存。”常浩南看出了对方的心思，出言道，“这是我们在半导体生产领域反超的，以后可以放进工建委的博物馆里。”

    “是否意味着，未来我们这台arf-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”